半導(dǎo)體外延爐是半導(dǎo)體設(shè)備中獲得原材料外延生長的核心設(shè)備，并通過控制溫度、氣氛和氣體壓力等數(shù)據(jù)，在襯底上堆積半導(dǎo)體器件，建立與基板晶相符的層析結(jié)晶。
1.反應(yīng)室：
構(gòu)造：分成平移式和立柱式，立柱式又可分為平臺式和桶式。立柱式外延性爐底座可旋轉(zhuǎn)，均勻度好，總產(chǎn)量大。
原材料：一般采用高純石英或不銹鋼，內(nèi)部結(jié)構(gòu)擺放煅后石油焦底座，表層覆蓋SiC或堆積光伏電池膜，以確保外延層品質(zhì)。
2.加熱裝置：
基本原理：運用高頻加熱設(shè)備或輻射傳熱加溫，使底座溫度超過堆積需要范疇（一般600-1400℃）。
特性：高頻加熱設(shè)備根據(jù)渦流電磁場造成感應(yīng)電流，傳熱效率高；輻射傳熱加熱均勻性強，但能源消耗比較大。
3.液相自動控制系統(tǒng)：
作用：控制反映汽體（如氯硅烷、H2）的流量占比，保證堆積全過程的穩(wěn)定。
構(gòu)成：包含質(zhì)量流量控制器、汽體切換閥、噴頭等。
4.排放系統(tǒng)：
作用：及時排出反映廢氣，防治污染反應(yīng)室。
構(gòu)成：包含機械泵、尾氣處理裝置等。